歴史と仕様を含むDDR3RAMの紹介[MiniToolWiki]

Introduction Ddr3 Ram Including Its History

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DDR3RAMについて

DDR3 SDRAMは、ダブルデータレート3同期ダイナミックランダムアクセスメモリの略で、高帯域幅インターフェイスを備えた同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）の一種です。 2007年から使用されています。読み続けると、この投稿でDDR3RAMに関する多くの情報を知ることができます。 MiniTool 。

DDR3 RAMは、DDRおよびDDR2の高速後継であると同時に、DDR4同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）チップの前身でもあります。信号電圧、タイミング、およびその他の要因が異なるため、DDR3SDRAMは以前のタイプのどのタイプとも互換性がありません。ランダム・アクセス・メモリ（羊）。

直接の前身であるDDR2SDRAMと比較したDDR3RAMの主な利点は、2倍の速度（内部メモリアレイの8倍の速度）でデータを転送できることであり、より高い帯域幅またはピークデータレートを可能にします。

64ビット幅のDDR3モジュールは、クアッドクロック信号のサイクルを2回送信することにより、メモリクロック速度の最大64倍の転送速度を実現できます。

64ビットデータは、一度に各メモリモジュールを介して送信されます。 DDR3 SDRAMの転送速度は、（メモリクロックレート）x 4（バスクロックマルチプライヤの場合）x 2（データレートの場合）x 64（送信ビット数）/ 8（バイトのビット数）です。したがって、メモリクロック周波数が100 MHzの場合、DDR3SDRAMの最大転送速度は6400MB / sです。

DDR3規格では、最大8ギビビットの容量のDRAMチップが許可され、各64ビットの最大4レベルがあり、DDR3DIMMあたりの合計容量は最大16GiBです。 Ivy Bridge-Eは2013年までハードウェアの制限に対応していなかったため、ほとんどの古いIntelCPUは8GiBDIMMを備えた最大4Gbチップのみをサポートします（IntelのCore 2DDR3チップセットは2Gbのみをサポートします）。すべてのAMDCPUは、16 GiB DDR3DIMMの完全な仕様を正しくサポートしています。

歴史

2005年2月、SamsungはDDR3メモリチップの最初のプロトタイプをリリースしました。サムスンはDDR3の開発と標準化において重要な役割を果たしました。 2007年、DDR3が正式に発売されました。

DDR3使用量の増加の背後にある主な推進力は、新しいIntel Corei7プロセッサとAMDのPhenomIIプロセッサであり、どちらも内部メモリコントローラを備えています。前者はDDR3を必要とし、後者はそれを推奨します。

2012年9月、DDR3RAMの後継であるDDR4RAMがリリースされました。

スペック

DDR2 RAMと比較して、DDR3RAMはより少ない電力を消費します。この減少は、供給電圧の不一致によるものです。DDR2は1.8Vまたは1.9Vですが、DDR3は1.35Vまたは1.5Vです。 1.5 Vの電源電圧は、元のDDR3チップで使用されていた90ナノメートルの製造技術でうまく機能します。一部のメーカーは、リーク電流を減らすために「デュアルゲート」トランジスタの使用を提案しています。

JEDECによると、メモリの安定性が主な考慮事項である場合（サーバーやその他のミッションクリティカルなデバイスなど）、1.575ボルトを絶対最大値と見なす必要があります。さらに、JEDECは、メモリモジュールが恒久的な損傷を受けるには、最大1.80ボルトの電圧に耐える必要があると述べていますが、このレベルで正しく機能する必要はありません。

もう1つの利点は、プリフェッチバッファが8バーストの深さであるということです。対照的に、DDR2のプリフェッチバッファは4バーストの深さですが、DDRのプリフェッチバッファは2バーストの深さです。この利点は、DDR3転送速度を可能にするテクノロジーです。

DDR3デュアルインラインメモリモジュール（DIMM）には240ピンがあり、DDR2と電気的に互換性がありません。 DDR2DIMMとDDR3DIMMの主要なノッチの位置が異なり、誤って交換されるのを防ぎます。キーが異なるだけでなく、DDR2の側面には丸いノッチがあり、DDR3モジュールの側面には正方形のノッチがあります。

Skylakeマイクロアーキテクチャ用に、Intelは、DDR3またはDDR4チップを使用できるUniDIMMと呼ばれるSO-DIMMパッケージも設計しました。その後、CPUの統合メモリコントローラはそれらのいずれかを使用できます。

UniDIMMの目的は、DDR3からDDR4への移行に対処することです。この場合、価格と可用性にRAMタイプの切り替えが必要になる場合があります。 UniDIMMの寸法とピン数は通常のDDR4SO-DIMMと同じですが、互換性のないDDR4 SO-DIMMソケットで誤って使用しないように、ノッチの位置が異なります。

DDR3レイテンシーは、それらを測定するI / Oバスクロックサイクルが短いため、数値的に高くなります。実際の時間間隔はDDR2遅延と同様で、約10nsです。

単一のSDRAMチップ（または、拡張によりDIMM）の消費電力は、速度、使用タイプ、電圧など、多くの要因に依存します。デルのPowerAdvisorは、4 GB ECC DDR1333RDIMMごとに約4Wを消費すると計算しています。比較すると、最新の主流のデスクトップ指向の部品である8 GB DDR3 / 1600 DIMMは、定格が2.58 Wですが、大幅に高速です。

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