SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory)とは何ですか? [MiniTool Wiki]
What Is Sdram
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たとえば、市場にはさまざまな種類のRAMがあります。 SRAMメモリ 。この投稿は主にSDRAMについて話しているので、他のタイプのRAMについて知りたい場合は、 MiniTool ウェブサイト。
SDRAMの概要
SDRAMとは何ですか?これは、同期ダイナミックランダムアクセスメモリの略で、任意のダイナミックランダムアクセスメモリです( ドラマ )外部ピンインターフェースの動作は、外部から提供されるクロック信号によって調整されます。
SDRAMは、クロック入力の立ち上がりエッジの後に制御入力の変化を認識することができる同期インターフェースを備えています。 JEDECによって標準化されたSDRAMシリーズでは、クロック信号が着信コマンドに応答して内部有限状態マシンのステッピングを制御します。
これらのコマンドをパイプライン化して、パフォーマンスを向上させ、新しいコマンドを受信しながら以前に開始した操作を完了することができます。メモリはいくつかの同じサイズであるが独立したセクション(バンクと呼ばれる)に分割されているため、デバイスは各バンクのメモリアクセスコマンドに従って同時に動作し、インターリーブ方式でアクセス速度を加速できます。
これにより、非同期DRAMと比較して、SDRAMの同時実行性とデータ転送速度が向上します。
SDRAMの歴史
1992年、Samsungは最初の商用SDRAM(16 Mbの容量を持つKM48SL2000メモリチップ)をリリースしました。これは、サムスン電子がCMOS(相補型金属酸化物半導体)製造プロセスを使用して製造し、1993年に大量生産されました。
2000年までに、SDRAMは、その高性能により、最新のコンピューターの他のほとんどすべてのタイプのDRAMに取って代わりました。
SDRAMの遅延は、非同期DRAMよりも本質的に低く(速く)なりません。実際、追加のロジックにより、初期のSDRAMは同じ期間のバーストEDODRAMよりも低速でした。 SDRAM内部バッファリングの利点は、操作を複数のメモリバンクにインターリーブできるため、実効帯域幅が増加することです。
今日、ほとんどすべてのSDRAM製造は、電子部品の相互運用性を促進するためにオープンスタンダードを使用するエレクトロニクス業界協会であるJEDECによって確立された規格を満たしています。
また、SDRAMは、サーバーやワークステーションなど、より高いスケーラビリティを必要とするシステムに登録された種類を提供します。さらに、現在、世界最大のSDRAMメーカーには、Samsung Electronics、Panasonic、Micron Technology、Hynixなどがあります。
世代のSDRAM
DDRSDRAM
第一世代のSDRAMは DDRSDRAM 、ユーザーがより多くの帯域幅を利用できるようにするために使用されました。これは同じコマンドを使用します。これはサイクルごとに1回受け入れられますが、クロックサイクルごとに2つのデータワードを読み書きします。 DDRインターフェイスは、クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジでデータを読み書きすることでこれを実現します。
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM DDR SDRAMと非常に似ていますが、最小の読み取りまたは書き込みユニットが再び2倍になり、4つの連続するワードに到達します。バスプロトコルも簡素化され、より高いパフォーマンスを実現しました。 (特に、「バーストターミネーション」コマンドは削除されています。)これにより、内部RAM動作のクロックレートを上げることなく、SDRAMのバスレートを2倍にすることができます。
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM この傾向を継続し、最小の読み取りまたは書き込み単位を2倍にして8つの連続するワードにします。これにより、帯域幅と外部バスレートを、内部操作のクロックレートを変更することなく、幅だけを変更することなく、再び2倍にすることができます。 800〜1600 Mの転送/秒(400〜800 MHzクロックの両端)を維持するには、内部RAMアレイが1秒あたり100〜200Mのフェッチを実行する必要があります。
DDR4 SDRAM
DDR4 SDRAM 内部プリフェッチ幅を再び2倍にすることはありませんが、DDR3と同じ8nプリフェッチを使用します。 DDR4チップの動作電圧は1.2V以下です。
DDR5 SDRAM
でも DDR5 まだリリースされていませんが、その目標はDDR4の帯域幅を2倍にし、消費電力を削減することです。
SDRAMの失敗した後継者
ラムバスDRAM(RDRAM)
RDRAMは、DDRと競合する独自のテクノロジでした。その比較的高い価格と期待外れのパフォーマンス(DDRの64ビットチャネルとは対照的に、待ち時間が長く、16ビットデータチャネルが狭いため)により、SDRDRAMの競争に負けました。
同期リンクDRAM(SLDRAM)
SLDRAMは、クロックがデータソース(読み取り操作の場合はSLDRAMチップ)によって生成され、データと同じ方向に送信されるという点で標準のSDRAMとは異なり、データのスキューが大幅に減少します。 DCLKのソースが変更されたときに一時停止する必要がないように、各コマンドは使用するDCLKペアを指定しました。
仮想チャネルメモリ(VCM)SDRAM
VCMはNECが設計した独自仕様のSDRAMでしたが、オープンスタンダードとしてリリースされ、ライセンス料はかかりませんでした。標準のSDRAMとピン互換ですが、コマンドが異なります。
VCMはRDRAMほど高価ではなかったため、このテクノロジーはRDRAMの潜在的な競合相手でした。仮想チャネルメモリ(VCM)モジュールは、標準のSDRAMと機械的および電気的に互換性があるため、両方のサポートはメモリコントローラの機能にのみ依存します。